在半导体存储器的发展中，由于其广泛的应用，静态存储器（SRAM）已成为必不可少的重要组成部分。

随着微电子技术的飞速发展，SRAM已逐渐显示出高集成度，快速，低功耗的发展趋势。

近年来，SRAM在提高系统性能，提高芯片可靠性和降低成本方面发挥了积极作用。

今天，我将带您详细了解什么是SRAM。

在理解SRAM之前，有必要先解释一下RAM：RAM的主要功能是存储代码和数据，以供CPU在需要时调用。

但是这些数据并不像用袋子装米那样简单。

这更像是将书籍放在图书馆的书架上。

不仅必须将它们放入，而且在需要时必须准确地调用它们。

尽管它们都是书籍，但每本书都是不同的。

RAM和其他存储器也是如此。

尽管它们存储表示0和1的代码，但不同的组合是不同的数据。

让我们回到书籍和书架上。

如果书架上有10行10列（每行和每列的编号为0-9），并且其中要存储100本书，则我们使用1行数+列数可以确定一本书的位置。

RAM存储器中也使用类似的原理。

现在让我们回到RAM内存。

对于RAM存储器，数据总线用于进出数据。

如果上述书架与书架相同，则由于内存中的存储空间是由某些规则定义的，因此可以通过此规则将数据存储在内存中的相应位置，这样的定位工作是必要的依靠地址总线来实现。

对于CPU，RAM就像一条长长的细线，上面有很多空格，每个空格都有一个对应的唯一地址。

如果CPU要从RAM调用数据，它首先需要向地址总线发送一个数字，请求搜索书本（数据），然后等待几个时钟周期，数据总线会将数据传输到CPU，画面更加直观：小点表示RAM中的存储空间，每个小点都有一条唯一的地址线连接到它。

当地址解码器接收到地址总线的指令时： （地址数据），它将基于该数据找到CPU要调用的数据的位置，然后数据总线会将数据传输到CPU。

现在，我们来介绍当今的主角SRAM：SRAM，“静态RAM（静态随机存取存储器）”的缩写。

所谓的“静态”是指意味着只要打开电源，存储在这种存储器中的数据就可以保持不变。

这与我们常见的DRAM动态随机存取存储器不同，下面让我们看一下具体的区别：SRAM不需要刷新电路以保存其中存储的数据，而DRAM（动态随机存取存储器）则需要刷新和每隔一段时间充电一次，否则内部数据会消失，因此SRAM具有更高的性能和更低的功耗。

此外，SRAM主要用于二级缓存，二级缓存使用晶体管来存储数据。

与DRAM相比，SRAM速度更快，但在同一区域中，SRAM的容量要小于其他类型的存储器。

但是SRAM也有缺点。

集成度低。

可以将具有相同容量的DRAM存储器设计为较小的体积，但SRAM需要较大的体积。

相同面积的硅可以制造更大容量的DRAM，因此SRAM似乎更昂贵。

另外，SRAM是快速但昂贵的，并且小容量SRAM通常用作高速CPU和低速DRAM之间的高速缓存。

最后总结：SRAM成本相对较高DRAM成本相对较低（1个FET加一个电容器）SRAM存取速度相对较快DRAM存取速度较慢（电容器充放电时间）SRAM通常用于高速缓存DRAM中。

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