宾夕法尼亚州马尔文市-2020年8月17日-日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布推出首款-30 V p沟道功率MOSFET SiRA99DP，在10 V时导通电阻降至1.7 mW。 Siliconix TrenchFET＆reg;第四代SiRA99DP导通电阻达到业界最低水平。它采用耐热增强型6.15毫米x 5.15毫米PowerPAK＆reg;封装。 SO-8单片封装，专门设计用于提高功率密度。几天前发布的MOSFET的导通电阻比市场上排名第二的产品低43％，从而降低了电压降并降低了传导损耗，从而实现了更高的功率密度。 SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC，这是栅极电荷与导通电阻的乘积，也就是说，MOSFET在开关应用中的重要品质因数（FOM）为185 mW * nC，达到同类产品的最佳水平产品。该器件是输入电压为12 V的电路的理想选择，适用于适配器，电池和通用电源开关，反极性电池保护，OR-ing功能以及电信设备，服务器，工业PC和计算机的电机驱动控制。机器人。 SiRA99DP减少了并行设备的数量，换句话说，增加了单个设备的电流，从而提高了功率密度并节省了这些应用的主板空间。另外，作为p沟道MOSFET，该器件不需要电荷泵来提供n沟道器件所需的正向栅极电压。该MOSFET已通过RG和UIS的测试，符合RoHS要求且不含卤素。 SiRA99DP现在可以提供样品，并已实现批量生产。交货时间为12周，具体取决于市场情况。