众所周知，先行优势是半导体行业的特征。就第三代半导体而言，第一代和第二代的国内外半导体之间没有明显的差距。继第一代Ge，Si半导体材料，第二代GaAs和InP化合物半导体材料之后，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是典型的第三代半导体材料之一。它的研究和应用是全球半导体研究的当前前沿和热点。当前，第三代半导体处于爆炸性增长的初期，其大部分下游应用处于研发阶段，尚未形成量产。国内厂商氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的研究与国外制造商几乎同时开始，因此预计国内制造商将利用这一优势来超越。为了全面了解中国第三代半导体材料的发展状况，发展趋势和投资策略，12月17日（星期四）15:30，集微网邀请了方正证券首席分析师陈航。科技行业，将成为第20位嘉宾以“第三代半导体产业分析”为主题的精彩演讲。随着我国第三代半导体即将迎来全面爆发，其两种代表性材料GaN和SiC的发展趋势和发展机遇是什么？相关投资需要哪些策略？方正证券首席分析师陈航着眼于这些问题。科技行业，对其进行了逐一分析。新能源产业的兴起促使SiC成为最有前途的第三代半导体材料，SiC具有更好的能量转换效率，可以大大减少功率转换中的开关损耗，并且更容易实现模块的小型化。耐高温性能。它可以广泛用于新能源汽车，光伏，风能，电网和交通运输等行业。陈航表示，在新能源汽车领域，新能源汽车是SiC功率器件市场的主要增长动力。随着消费者需求的持续增长和相关政策的支持，特斯拉，福特和大众汽车等汽车制造商宣布，他们将在未来十年内在电动汽车上投资超过3000亿美元。因此，汽车功率半导体的消费量将急剧增加，因此，预计SiC市场将大幅增长。随着数据中心和5G基站的建设和发展，对主要用于整流器和逆变器的SiC的需求也将扩大。另外，在光伏/风力发电系统中，逆变器将不同电压电平的直流电转换成交流电，以驱动诸如家用电器和照明设备之类的交流负载。 SiC逆变器为各种可再生能源发电系统（例如太阳能光伏发电和风力发电）提供各种完美的功率转换和接入解决方案，还将促进SiC市场的增长。除了国家对新能源发电发展的政策支持外，“十三五电力发展计划”还包括我国国家能源局发布的《十三五计划》指出，在此期间，我国将进一步扩大风电和光伏发电等清洁能源的装机容量。规模还将直接影响风力发电的装机容量，这反过来将有助于SiC市场的增长。快速充电和5G推动GaN增加了体积，射频和功率器件成为GaN的新增长点。与SiC一样，作为第三代半导体材料，由于GaN具有高电流密度和其他优势，因此可以认为它非常大，可以显着降低功率损耗和散热负荷。发展潜力。特别是在快速充电的应用中，这项技术有助于在尚未突破电池技术的现状下延长手机的电池寿命。但是目前，它们大多数掌握在外国制造商手中，而国内制造商相对较少。随着国内市场需求的增长，国内电源制造商将迎来发展机遇。我国的GaN产品正从小批量的研发逐渐发展为大规模的商业化生产。目前，GaN单晶衬底已小批量工业化