1.简介热阻可以反映质量问题，例如芯片，焊接层和外壳的烧结或粘合。热阻特性对晶体管的可靠性具有至关重要的影响。利用晶体管的ΔVbe参数和热阻在一定条件下满足一定的数学关系，可以通过测量晶体管的ΔVbe参数来间接测试热阻参数，具有测量效率高，成本低，对器件无损伤的优点。该器件，但晶体管的热特性具有复杂，敏感和不稳定的特性。难以达到实际使用所需的测量精度。目前，国外已经开发了一种原理性的热阻测试系统。国内市场迫切需要经济高效的晶体管测试和筛选设备。该系统可以测量功率双极晶体管（NPN和PNP）的瞬态热阻和稳态热阻，以及二极管和发光管的热阻。通过将测试条件加载到测试系统，根据晶体管的热阻特性反映的温度变化，将测量数据显示在计算机屏幕上，并快速筛选测试结果。该系统具有接触检测和震动检测功能，可防止因接触不良和震动而导致温度测量错误。该系统还具有防止雪崩的自保护电路，可用于测量安全工作区SOA（安全工作区），以提高测试系统Sex的稳定性。 2.热阻测试技术晶体管的热阻通常由芯片热阻，芯片插座接触热阻和管壳热阻组成。在生产中，与芯片烧结相关的芯片插座的接触热阻是最难控制的。烧结不良将大大增加插座芯片的热阻。在使用中，该器件将由于结温过高而发生故障。脉冲操作中晶体管的热阻是结温上升与耗散脉冲功率幅度之比。对于功率晶体管，通常将外壳温度用作温度参考点，表达式为：θjc=（Tj-Tc）/ P，其中Tj是芯片的结温，Tc是外壳温度，P为脉冲功率。热阻测量归结为脉冲功耗P，外壳温度Tc和结温Tj的测量。显然，不能直接测量晶体管的结温Tj。因此，发射极结的正向电压降Vbe和结温Tj在一定范围内具有良好的线性关系：ΔVbe= M·ΔTj，其中M为温度敏感参数，该关系用于测量晶体管器件热阻的物理基础和测量ΔVbe要求设置以下主要参数，即Vcb（两极之间的C，B电压）；即（负载电流）； Im（感应电流）; Pt（上电时间）； Dt（延迟时间）；上限（上限）；下限（下限）。由于不同制造商在工艺上的差异，有时尽管管的型号相同，但管的制造商不同，所施加的脉冲功率，测试时间和所选的温度敏感参数也不同。 3.测试系统架构热阻测试系统的基本架构是计算机通过软件控制精确的模拟和数字电路，以实现一系列程序控制，例如被测设备的状态→结果采样→筛选→计算→比较→歧视。自动测试被测设备的电气参数，每次测试的整个过程少于0.2秒。该系统主要由模拟多通道板，数字多通道板，ADC板，Im板，Ie板和Vcb板组成，如图1所示。4.Δvbe测试流程图ΔVbe是晶体管的重要参数。它与晶体管的热阻具有定量线性关系。它反映了晶体管的功耗，对于晶体管的封装过程和故障分析具有重要的指导意义。 ΔVbe的测试程序如下图2所示。 5.软件功能实现模块通过结合使用可视C ++++语言和汇编语言来完成系统软件设计。软件功能实现模块包括：1.用户管理模块。程序运行时需要确定用户身份，用户类型为ha