6月23日消息据韩国媒体ETNEWS报道，三星电子计划建造一座大型半导体工厂。鉴于面积比前一个增加了50％以上，因此采用了“集成半导体工厂”的形式，该工厂可同时生产DRAM，NAND闪存和其他设备，并有望引入该工厂。最新的工艺技术。据报道，“ P3”表示“ P3”。计划于今年9月在平泽市开始建设，并于2021年完工。▲三星电子的航拍照片＆＃39;平泽工业园区根据三星电子的官方网站，三星电子以前有名为“ P1”的半导体工厂。和“ P2”；在平泽市，其中“ P2”于去年完成。根据业内人士21日的报道，三星电子正准备建立一个更大的半导体工厂“ P3”。预计将于今年9月在平泽市开始。目前，三星电子已经为工厂的建设做好了许多准备工作。目前，三星最大的半导体工厂“ P2” P3的长度为400米，并且据报道“ P3”的长度为400米。将达到700米。 “ P3”表示预计将于明年八月左右完成，试生产将在调试生产线后完成。从2021年底开始，将开始大规模生产采用最新技术的芯片，包括图像传感器，DRAM，NAND和SoC处理器等半导体器件的生产。据报道，三星电子的目标是到2030年成为非内存半导体市场的领导者。