ADuM4221产品详细信息中描述的ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2如第4条所述进行分离，也就是说，使用模拟设备公司的半桥栅极驱动器I耦合器技术来提供独立且分离的高端和低端。侧面输出。 ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2在16引脚SOIC_IC宽体中提供5700Vrms隔离，并增加了爬电宽度。这些隔离组件将高速CMOS和单片变压器技术相结合，以提供优于其他选择的出色性能，例如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2在输入和每个输出之间提供真正的电气隔离。全部具有内置的重叠保护，并允许调整死区时间。死区时间引脚（DT）和GND1引脚之间的单个电阻设置了高侧和低侧输出之间的次级侧的空载时间。如果ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2的内部温度超过TSD温度，则内部热关断（TSD）会将输出设置为低电平。结果，ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2可以在大范围的正负范围内可靠地控制绝缘栅双极型晶体管（IGBT）/金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）配置的开关特性开关电压。 ADuM4221应用领域开关电源隔离式IGBT / MOSFET栅极驱动器工业逆变器，兼容氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）fqj