存储器制造商美光宣布，其第五代3DNAND闪存技术已达到创纪录的176层堆栈。预计美光新推出的176层3DNAND闪存技术和体系结构可以大大提高数据中心，智能边缘计算和智能手机存储的应用效率。据了解，176层3DNAND闪存是美光科技的第二代ReplacementGate架构，并且是目前世界上技术最先进的NAND节点。与上一代3DNAND相比，美光的176层3DNAND闪存在读取和写入方面存在延迟。这是35％的增长。微米级的176层闪存实际上是基于两个88层的叠加。第一批是TLC颗粒。单个芯片的容量为512Gb（64GB）。当然，稍后可能会添加QLC。据报道，美光公司的176层3DNAND闪存可以提供更好的服务质量，并加速数据密集型环境和工作负载，例如数据库，人工智能引擎和大数据分析。由于采用了新的闪存架构和堆叠技术，美光科技已将176层闪存的厚度控制在45微米，这基本上相当于早期的64层浮栅3DNAND。因此，即使将16个管芯封装在一个芯片中，单个容量为1TB，其厚度也不会超过1.5毫米，并且可以轻松地放入智能手机和存储卡中。