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在5G时代将快速改善工业控制存储性能的方法

近年来,物联网得到了突飞猛进的发展。根据IoT Analytics的统计,2018年全球IoT设备数量已达到70亿;到2020年,活跃的物联网设备的数量预计将增加到100亿。全球物联网产业的规模已从2008年的500亿美元增长到2018年的近1,510亿美元。预测到2025年,中国的物联网连接数将达到53.8亿,其中5G物联网连接数将达到39.3亿。 5G技术的核心优势是大带宽,低延迟,大量连接和紧密覆盖。与4G相比,5G的峰值速率是4G的30倍,用户体验数据是10倍,流量密度提高了100倍。随着5G网络建设的推进,无人驾驶等工业互联网项目将进入快速发展阶段。 5G技术加速了所有事物的互联,最终的数据将呈现指数级增长。在大趋势下,企业对数据存储的需求大大增加,对存储设备的性能要求也越来越高。目前,鉴于工业应用的特殊需求,为了实现高性能的数据存储,在工业企业提供的解决方案中,三个最可行的选择是:1.具有NVMe协议的SSD; 2. 3D NAND立体声存储单元; 3.升级DDR4-2666 MT / s内存。作为行业领导者,BIWIN以三管齐下的方式开发了成熟的产品,技术和积累了丰富的项目经验。 NVMe SSD的使用是企业用户普遍认可的存储升级解决方案。 NVMe是用于通过PCIe总线将存储连接到服务器的接口规范。使用NVMe协议的PCIe SSD:1.可以几乎没有延迟地直接连接到CPU; 2.它使用多队列方法来传输数据并并行化IO访问。 NVMe接口的这两个特征可以最大程度地发挥SSD的潜力。与SATA / SAS SSD相比,NVMe SSD的性能增长了几倍。以BIWIN产品为例,使用NVMe1.3接口的AIC PCIe SSD产品的最大连续读取速度为3064MB / s,最大连续写入速度为1763MB / s。使用SATA3接口的2.5 SATA SSD产品的最大连续读取速度为540MB / s,最大连续写入速度为450MB / s;两者之间的区别是显而易见的。不仅接口会影响SSD数据存储的性能,而且还会影响NAND的形式。尽管2D NAND仍被广泛使用,但由于其自身技术发展的瓶颈,它越来越不能满足更高标准的需求,尤其是工业应用的需求。 2D NAND的处理技术已从早期的50nm发展到目前的15 / 16nm,从而增加了容量并降低了成本,但是其可靠性和性能却在下降,因为NAND的氧化层越薄,单元之间的干扰就越大。 ,数据读取和写入的速度较慢。与改进处理技术的2D NAND不同,3D NAND增加容量的方法是堆叠更多层。英特尔曾经以构建为例介绍了3D NAND。 2D NAND是一座平房,因此3D NAND是一座高层建筑。由于3D NAND的单位面积容量更高,因此3D NAND的制造工艺比具有特定容量的芯片的2D NAND的制造工艺低得多。例如,可以使用40nm工艺。这有效地减少了单元之间的干扰,并提高了同时读取和写入的速度。 BIWIN针对大容量,高速高端工业SSD产品采用3D NAND闪存,并设计了LDPC纠错算法以增强产品稳定性。在工业应用中,还可以升级内存以优化服务器的存储性能。 DDR4-2666MT / s将最大数据频率提高到2666MT / s,与CPU的最大内存频率设置完全匹配,并充分释放了服务器的计算能力。 BIWIN DDR4-2666MT / s系列产品的容量从4GB到16GB,可满足所有工业应用需求,包括坚固耐用的服务器,自动化,网络交换机和监控。 BIWIN自己的包装和测试工厂可以为工业控制客户提供不同形式的定制包装。对于1U服务器,我们采用低高度DIMM模块设计来改进微空间气流冷却系统。对于诸如温差较大的采矿和化学工业等恶劣环境,我们使用宽温度模块desi