从产品开发进度的角度来看，Micro LED迫在眉睫，但是从商业化的角度来看，Micro LED距离还很远。从最初的发展阶段到现在的阶段，Micro LED技术取得了长足的进步，市场上的相关产品也陆续浮出水面。但是，由于技术瓶颈和成本问题，Micro LED距离广泛普及还有很长的路要走。根据TrendForce LEDinside研究中心（LEDinside）的最新研究报告，《 2019 Micro LED下一代显示关键技术报告》，尽管Micro LED技术面临许多挑战，但与两年前相比，当前的技术进步已经有所改善。很多。专利技术已经出现了物理样本显示机。随着Micro LED技术的成熟，Micro LED的商业化将逐步加速。此外，Micro LED的制造过程繁琐，要求也更加精细。过程中使用的原材料，过程耗材，生产设备，测试仪器和辅助夹具需要严格的规格和相对严格的精度。在Micro LED的商业化中，制造过程中每个紧密相关的环节都非常重要，例如MOCVD是LED外延晶圆制造的关键核心设备。德国MOCVD设备供应商Aixtron一直致力于外延晶片和其他技术的研究与开发，旨在促进Micro LED的大规模生产并加速Micro LED产品进入市场的应用。关于Micro LED的应用，Aixtron认为电视显示面板将是第一个打开市场的商业产品。其次，未来汽车显示器在Micro LED方面也将是一个相对较大的应用市场。随着客户需求的增加，升级车载显示的需求逐渐增加，例如动态显示车载内部和外部的信息，以及营造一种增加人与车辆之间交互性的氛围。其他应用市场包括智能电话，AR / VR，可穿戴设备等。良率和成本是阻碍Micro LED大规模生产的两个主要因素。 Aixtron表示，在现阶段，Micro LED与LCD和OLED相比没有成本优势。降低成本涉及许多因素，例如缺陷率和良率。由于Micro LED芯片的超小尺寸，技术难度高，良率难以保证，成本仍然很高。特别是红光的加工，由于材料和特性的限制，红光的产量低，可靠性不高，因此成本非常高。作为LED外延晶片制造的关键核心设备，MOCVD外延晶片的生产良率涉及波长均匀性，弯曲度管理和缺陷密度（缺陷密度）。以传统的显示屏LED芯片为例，分拣环节占成本的很大比例。如果可以删除此链接，则成本将下降很多。对于Micro LED，由于生产过程和成本问题，没有分选链接，这表明对波长均匀性的要求非常高。为了实现Micro LED的批量生产，MOCVD设备生产的所有外延晶片的波长范围必须在4nm之内。在翘曲管理方面，Aixtron相信Micro LED将朝着超过6英寸的方向发展，而6英寸的翘曲管理与4英寸的翘曲管理大不相同。无论是硅衬底还是蓝宝石衬底，都需要特殊的外延工艺来获得稳定的翘曲性能。如果将波长均匀性保持在4nm范围内，则翘曲管理小于50μm，并且将缺陷密度控制在0.15 / cm 2以内，可以确保成品率。 MOCVD的C2C和原位清洗技术有助于Micro LED的商业化。在实现高生产率和低成本方面，Aixtron的自动盒式（C2C）晶圆传送模块技术可以实现8x6英寸或5x8英寸的GaN-在封闭式盒式环境中自动装载和移除硅上晶圆可提高产量同时确保外延晶片的颗粒密度。图1：G5 + C C2C传输模块。此外，AIXTRON MOCVD设备具有自动原位清洗（In-Situ Cleaning）技术，该技术可确保每次运行时设备均处于清洁状态，从而确保外延晶片的缺陷密度低且显着减少停机时间和维护时间，确保高产量，从而降低生产成本。据报道，自动原位清洗技术是半导体工业中的一项标准技术。