多层芯片陶瓷电容器的结构主要包括三部分：陶瓷介质，金属内电极和金属外电极。

多层芯片陶瓷电容器是多层结构，其简单地是多个简单平行板电容器的并联体。

4.1.1产品类型：CC41表示I类多层芯片陶瓷电容器CT41代表II类多层芯片陶瓷电容器4.1.2尺寸代码：0805表示0.08英寸（2.03mm）长，0.05英寸宽（1.27mm）），等等上; 4.1.3介质类型代码：介质材料COG（NPO）X7R Z5U Y5V中型代码CG BEF 4.1.7端部材料：S ---全银可焊接; N ---三层电极4.1.8包装方法：T带用于包装，空位或“B”用于散装包装。

随着世界电子工业的快速发展，作为电子工业的基本组成部分，多层芯片陶瓷电容器也在以惊人的速度发展，以每年10％至15％的速度增长。

目前，全球对芯片电容器的需求超过2000亿，其中70％来自日本，其次是欧洲，美洲和东南亚（包括中国）。

随着多层片式陶瓷电容器产品可靠性和集成度的提高，其使用范围越来越广，广泛应用于各种军用和民用电子机器和电子设备中。

例如计算机，电话，程控交换机，复杂的测试仪器，雷达通信等。

电容器具有“直通”的特性，并且它是用于能量存储的部件。

因此，它在电路中具有以下功能：1。

储能交换这是电容器最基本的功能，主要通过其充放电过程来产生和施加电能。

这主要是基于大容量II类电容器，在某些情况下甚至可以取代小型铝电解电容器和钽电解电容器。

2，通过直通（旁路和耦合）因为电容器不是导电体，它是通过交流电的常规转向来显示两端充电现象，所以在电路中它可以并联与其他组件一起传递通信，DC被阻止并充当旁路。

在AC电路中，电容器根据输入信号的极性变化进行充电和放电，使得连接到电容器两端的电路处于导通状态并用作耦合。

通常，连接到放大器或运算放大器输入的电容器是耦合电容器;与放大器或运算放大器发射器相关的电容器是旁路电容器。

两者都基于II型电容器，特别是0.1uF？ 3.频率鉴别滤波在交流电路中，对于多频混合信号，我们可以使用电容器来分离部件。

通常，我们可以使用具有合理电容的电容器来滤除大部分低频信号。

这主要基于高频或超高频电容器。

4.浪涌电压的抑制由于电容器是储能元件，它可以去除电路中的那些瞬态浪涌信号，还可以吸收电路中电压波动产生的多余能量。

滤波主要基于高频产品。