自旋注入MRAM在功能方面结合了DRAM和NAND闪存等现有内存的优势，同时在性能方面超越了几乎所有现有内存，因此它可能赢得巨大的市场（见表1）。

特别是在功能方面，自旋注入的MRAM与闪存一样非易失。

即使关闭电源，信息也不会丢失，并且可以像DRAM一样随机访问。

表1比较了内存​​的技术规格。

在性能方面，自旋注入MRAM的读写时间非常短，范围从2ns到20ns。

它不需要闪存所需的擦除操作，并且写入时间比闪存要少几个数量级。

即使与现有存储器中的高性能DRAM（读1写时间为30ns〜50ns）相比，自旋注入MRAM的高性能仍然非常出色。

另外，可擦除次数超过1015次，相当于DRAM和SRAM，大大超过了闪存的105倍。

自旋注入的MRAM在功能和性能方面都超过了现有的存储器，很可能会取代设备中使用的各种存储器（请参见图1）。

如果关键技术的研发进展顺利，未来自旋注入MRAM的推广和应用将大致分为两个阶段。

在第一阶段，它将替换车载MCU中使用的嵌入式存储器，然后在第二阶段，将替换手机中的MCP和独立的DRAM和独立的NOR闪存。

图165nm产品将取代嵌入式存储器，45nm产品将取代独立存储器目前，各个制造商已基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。

在车载MCU中，设备工作时使用的备用内存和用于存储程序的闪存通常集成在同一芯片上。

如果自旋注入MRAM可以集成到MCU中，则可以代替上述SRAM和闪存。

MCU用户对自旋注入MRAM的使用也表现出积极态度。

目前，集成在车载MCU中的闪存的可擦除时间太短。

希望可以使用具有比闪存更好的读/写性能的存储设备。

听说MRAM比闪存具有更多的可擦除时间，并且其性能有所提高。

如果这两个存储器的成本相同，那么肯定会选择MRAM。

使用65nm工艺批量生产自旋注入的MRAM时，将有可能替换板载MCU中的嵌入式存储器。

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