随着世界的多元化发展，我们的生活在不断变化，包括我们接触到的各种电子产品。

然后，您一定不知道这些产品的某些组件，例如Optimos™40V低压功率MOSFET。

现代电源系统设计需要高功率密度水平和紧凑尺寸，才能获得最高的系统级性能。

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）通过专注于增强组件产品以实现系统创新来应对这一挑战。

在2月推出25V器件之后，英飞凌推出了OpTIMOS™40V低压功率MOSFET，该器件采用Source-Down（SD，Source-Down）PQFN封装，尺寸为3.3mmx3.3mm。

该40VSDMOSFET适用于SMPS，电信和服务器的OR-ing，以及电池保护，电动工具和充电器等应用。

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其本义是：MOS（金属氧化物半导体），FET（场效应晶体管），即金属层的栅极（M）与氧化物层（O）分开使用电场的作用来控制半导体（S）场效应晶体管。

OpTIMOSSD40V低压功率MOSFET有两个版本：标准版本和中心栅极版本。

中央网格版本针对多个设备的并行操作进行了优化。

源底安装（SD）PQFN封装的器件尺寸为3.3mmx3.3mm，可将RDS（on）大大减小25％，并且接口与外壳之间的热阻RDS（on）也已大大降低改善。

截止：在漏极和源极之间增加一个正电源，栅极和源极之间的电压为零。

在P基极区和N漂移区之间形成的PN结J1被反向偏置，并且在漏极和源极之间没有电流流动。

在SD封装内部，使用了倒置芯片。

这样，可以通过导热垫将源极电势（而不是漏极电势）连接到PCB。

与现有技术相比，该版本最终可以将RDS（on）降低25％。

与传统的PQFN封装相比，结与壳体之间的热阻（RthJC）也得到了极大的改善。

SDOpTIMOS可以承受高达194A的高连续电流。

此外，优化的配置可能性和更有效的PCB利用率可以实现更高的设计灵活性和出色的性能。

传导：在栅极和源极之间施加正电压UGS，栅极处于绝缘状态，因此不会流过栅极电流。

然而，栅极的正电压将推开其下方P区域中的空穴，并且P区域中的少数电子将被吸引到栅极下方P区域的表面。

在研究设计过程中，一定存在这样或那样的问题，要求我们的科研工作者不断总结设计过程中的经验，以促进产品的不断创新。