台积电是第一家将EUV（极紫外）光刻工艺商业化用于铸造的公司。

当前的生产过程包括三代N7 +，N6和N5。

其中，N7 +是第二代7nm，EUV共4层。

即使这样，与多次曝光相比，它仍节省了时间，并提高了芯片生产效率。

但是，迭代到5nm之后，EUV层的数量达到14层，包括但不限于接触，过孔和关键金属层之类的过程。

为了实现15％的性能提高，30％的功耗降低和70％的密度增加，ASML透露EUV将超过20层，即鳍片和栅极。

有必要引入EUV切割面罩。

Asim的首席执行官Peter Wennink表示，增加EUV层的数量有很多好处。

例如，仅需要单次曝光而不是DUV设备的多次曝光。

DRAM芯片也是如此。

为此，台积电将需要确保已安装EUV光刻机的数量，但它们看起来非常有信心。