IST晶圆：成功开发了高达150万（38微米）的晶圆减薄技术

随着5G，物联网和电动汽车的蓬勃发展，对低功耗的要求越来越高，功率半导体已成为这些行业不可阻挡的重要组成部分。 IST（TWSE：3289）还在其后端晶圆加工厂提高了晶圆减薄能力。
ISTJ（1/6）宣布，晶圆后端加工厂（Zhuke第二工厂）通过客户认可成功开发了高达150万（38um）的晶圆减薄技术，这是该技术门槛的突破。同时，为了更加专注于为国际客户提供服务，立即成立了ProsperityPowerTechnologyInc。
使用控制膜和TEM分析来测量优化条件2mil，1.5mil和1.5mil后的损伤层厚度。 iST指出，“变薄”是指功率半导体的制造一直是改进过程，因此功率组件可以实现“低功耗和低功耗”。
“输入阻抗”指的是输入阻抗。是最直接，最有效的方法。
除了有效减少后续封装材料的体积外，晶圆减薄还可以通过减少RDS（on）（导通电阻）来增加芯片的使用寿命，从而减少热量积聚的影响。然而，如何在减薄过程中减小晶片的厚度，同时又考虑到晶片的强度以避免高碎裂率的风险，是晶片减薄的最大风险。
为了解决此风险，iST处于业界领先地位，已完成了200万（50微米），150万（38微米）甚至40万（10微米）的细化技术的开发。圆的厚度还考虑了晶片的强度，这可以使损坏层（损坏层）最小化。