HG5511D参数特性60V低压MOS 40A低结电容手机专用MOS管快速充电
MOS管型号:HG5511D参数:60V40A封装:DFN3333内部电阻:11mR(Vgs = 10V)14mR(Vgs = 4.5V)结电容:550pF开启电压:1.8V应用领域:汽车照明,汽车电子,电动汽车应用,LED频闪,LED升降压照明,太阳能,舞台照明,加湿器,美容仪和其他电压开关应用。 [开关损耗低的高频大电流SGT工艺]
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