HG5511D参数特性60V低压MOS 40A低结电容手机专用MOS管快速充电

MOS管型号：HG5511D参数：60V40A封装：DFN3333内部电阻：11mR（Vgs = 10V）14mR（Vgs = 4.5V）结电容：550pF开启电压：1.8V应用领域：汽车照明，汽车电子，电动汽车应用，LED频闪，LED升降压照明，太阳能，舞台照明，加湿器，美容仪和其他电压开关应用。 [开关损耗低的高频大电流SGT工艺]